IRF5210STRLPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF5210STRLPBF (INFINEON)	17	167.28
IRF5210STRLPBF	1 612	94.20

Версия для печати

Технические характеристики IRF5210STRLPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 38A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	38A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	230nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2780pF @ 25V
Power - Max	3.1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.