IRFS41N15D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFS41N15D (INTERNATIONAL RECTIFIER)	40	178.50

Версия для печати

Технические характеристики IRFS41N15D

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	41A
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 25A, 10V
FET Feature	Standard
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	3.1W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2520pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFS41N15D (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFS41N15D datasheet
337.4 Кб