BCW33
Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=250mW, B=420-800@I=2mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
Версия для печати
| Корпус | SOT-23 |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Power - Max | 350mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BCW33 Npn Epitaxial Silicon Transistor
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
КТ3130Г9 | 936 | 12.35 | |||||
|
|
КТ3130Г9 | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||||
|
|
КТ3130Г9 | ДАЛЕКС | 777 | 28.97 | ||||
|
|
КТ3130Г9 | RUS |
|
|
||||
|
|
КТ3130Г9 | МИНСК | 11 | 16.80 | ||||
|
|
КТ3130Г9 | ЭЛЕКС |
|
|
||||
|
|
КТ3130Г9 | ИНТЕГРАЛ |
|
|
