C0805-0,1 МКФ-(+80-20)%-Y5V-50V

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3314G-1-103E	Подстроечный резистор 10кОм	BOURNS	1 123	92.50
3314G-1-103E	Подстроечный резистор 10кОм			102.24
3314G-1-103E	Подстроечный резистор 10кОм	Bourns Inc
3314G-1-103E	Подстроечный резистор 10кОм	BOURNS
3314G-1-103E	Подстроечный резистор 10кОм	0.00
AT24C512-10PU-2,7
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	PHILIPS
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	NXP	10 484
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...		339	5.25
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	MULTICOMP
BC857	маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе ...	JSCJ	711 197	1.72 >100 шт. 0.86
BCP68		FAIR
BCP68		NXP
BCP68		PHILIPS
BCP68		FAIRCHILD
BCP68				43.00
BCP68		FAIRCHILD	292
BCP68		PHILIPS
BCP68		Fairchild Semiconductor
BCP68		NXP	1 500
R0805-2 КОМ