|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
2 456
|
17.56
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
8 714
|
13.26
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
3 804
|
11.05
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
КН102А |
|
Отечественный динистор (диодный тиристор).
|
|
800
|
71.40
|
|
|
|
КН102А |
|
Отечественный динистор (диодный тиристор).
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
КН102А |
|
Отечественный динистор (диодный тиристор).
|
ТОР
|
|
|
|
|
|
КН102А |
|
Отечественный динистор (диодный тиристор).
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
|
2 447
|
26.40
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
КРЕМНИЙ
|
266
|
33.15
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ961А |
|
Транзистор кремниевый планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 50МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
М42303 20А (АНАЛОГ) |
|
|
|
|
|
|
|
|
М42303 20В (АНАЛОГ) |
|
|
|
|
|
|