2SD560
|
Версия для печати
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 150 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 3.00 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 2000 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 30 |
| Корпус | TO220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2SD560 Npn Silicon Epitaxial Transistor (darlington Connection) For Low-frequency Power Amplifiers and Low-speed Switching
Производитель:
|
