|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.60
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
21 115
|
2.24
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
324
|
1.45
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 016
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
530 435
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
722 748
|
1.12
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 644
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
107 416
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.03
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DC COMPONENTS
|
36 288
|
2.89
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DIODES INC.
|
31
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
FAIRCHILD
|
9 647
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
PHILIPS
|
634
|
2.00
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
DIOTEC
|
15 624
|
2.67
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
|
58 743
|
1.16
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
HOTTECH
|
13 093
|
1.80
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
PANJIT
|
1
|
3.13
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
YJ
|
175 500
|
1.36
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX84C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
|
SUNTAN
|
17 509
|
1.81
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
136
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
30 528
|
15.71
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
|
10 135
|
8.44
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
KLS
|
505
|
12.95
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML5203TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=3.0A@T=25C, Id=2.4A@T=70C)
|
TRR
|
8 800
|
5.90
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
62
|
73.55
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
|
5 032
|
40.38
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M24M01-RMN6TP |
|
Память EEPROM (128Kx8 bit (1 Mbit), I2C-интерфейс (400kHz), Vcc=1.8-5.5V, -40 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
1 236
|
|
|
|
|
M95256-WMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
8 543
|
34.55
|
|
|
|
M95256-WMN6TP |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
6
|
|
|
|
|
M95256-WMN6TP |
|
|
|
3 859
|
54.00
|
|
|
|
M95256-WMN6TP |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|