GRM3195C1H102JA01D
Керамический конденсатор 1000 пФ 50 В
|
|
Версия для печати
| Температурный коэфициент | C0G |
| Номинальное напряжение | 50 В |
| Емкость | 1000 пФ |
| Серия | GRM |
| Корпус (размер) | 1206 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип | Керамический |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Tolerance | ±5% |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| Сфера применения | General Purpose |
| Size / Dimension | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Thickness | 0.037" (0.95mm) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LM3671MF-3.3 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM3671MF-3.3 | 1 | 172.80 | ||||||
| LM3671MF-3.3 | NSC |
|
|
|||||
| LM3671MF-3.3 | США |
|
|
|||||
| LM3671MF-3.3 | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|||||
| LM3671MF-3.3 | 1 | 172.80 | ||||||
| LM3671MF-3.3 | TEXAS |
|
|
|||||
| LM3671MF-3.3 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM3671MF-3.3 | 1 |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | NXP |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | ON SEMICONDUCTOR | 2 892 |
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | 165 | 9.60 | ||||||
| MMBZ15VALT1G | ONS |
|
|
|||||
| MMBZ15VALT1G | YOUTAI | 2 422 | 2.71 | |||||
 |
MMBZ5V6ALT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | 3 | 14.40 | |||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | ON SEMICONDUCTOR | 9 836 |
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | ONS |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | ON SEMIC |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | YOUTAI | 15 256 | 3.22 | ||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | UMW-YOUTAI |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | UMW |
|
|
||||
|
|
MMBZ5V6ALT1G | 1 |
|
|
||||
| NCP1521BSNT1G | ONS |
|
|
|||||
| NCP1521BSNT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1521BSNT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NCP1521BSNT1G |
|
|
||||||
| NCP1521BSNT1G | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| SH-085 10K (СП3-38Б) | 408 | 5.98 |
