Версия для печати
Технические характеристики DEBB33F222KA3B

Производитель	Murata Manufacturing Co., Ltd.
Температурный коэфициент	B
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	3.15 кВ
Тип диэлектрика	B
Номинальное напряжение	3.15 кВ
Рабочая температура	-25...85 °C
	High Voltage Ceramic Cap.(250V-6.3kV)
Емкость	2200 пФ
Серия	DEB
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.512" Dia (13.00mm)
Высота	0.630" (16.00mm)
Lead Spacing	0.295" (7.50mm)
Возможности	High Voltage
Lead Style	Flat Bent

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1206-10.0K 5%		ЧИП — резистор 10.0 кОм, 5%, 1206			1.20  >100 шт.   0.60
		1206-2.20K 5%		ЧИП — резистор		72	0.96  >500 шт.   0.32
		BA56-12SRWA		Сегментный светодиод 14.2мм 3х7 красный ОА, 24мКд	KB
		BA56-12SRWA		Сегментный светодиод 14.2мм 3х7 красный ОА, 24мКд	KINGBRIGHT
		BA56-12SRWA		Сегментный светодиод 14.2мм 3х7 красный ОА, 24мКд			131.44
		BA56-12SRWA		Сегментный светодиод 14.2мм 3х7 красный ОА, 24мКд	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BA56-12SRWA		Сегментный светодиод 14.2мм 3х7 красный ОА, 24мКд	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BA56-12SRWA		Сегментный светодиод 14.2мм 3х7 красный ОА, 24мКд	КИТАЙ
		BA56-12SRWA		Сегментный светодиод 14.2мм 3х7 красный ОА, 24мКд	KGB	1	481.37
		BA56-12SRWA		Сегментный светодиод 14.2мм 3х7 красный ОА, 24мКд	KINGBRIHT
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)		63 844	1.24
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	800	10.20
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	DIOTEC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	INFINEON
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	MCC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	DC COMPONENTS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	GALAXY	9 608	1.73
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	OTHER	12 800
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	1 424
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ONS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	КИТАЙ
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP	7 139
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YJ	411 508	1.48
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	GALAXY ME
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	28 324	1.19
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	LRC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	KLS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PANJIT
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SEMTECH	4	3.28
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGJIE
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YOUTAI	64 689	1.61
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	10 503	2.19
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ZH
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ASEMI
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	TRR
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YIXING
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	1
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SUNTAN	184 098	1.26
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SHIKUES
		DHRB34C102M2FB		Конденсатор дисковый 15кВ, 1000пф	MURATA
		DHRB34C102M2FB		Конденсатор дисковый 15кВ, 1000пф			89.88
		DHRB34C102M2FB		Конденсатор дисковый 15кВ, 1000пф	Murata Electronics North America
		DHRB34C102M2FB		Конденсатор дисковый 15кВ, 1000пф	MUR	1 280	423.38

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"