DHRB34C102M2FB

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
DHRB34C102M2FB		89.88
DHRB34C102M2FB (MUR)	1 280	417.01

Версия для печати

Технические характеристики DHRB34C102M2FB

Номинальное напряжение	15000 В
Емкость	1000 пФ
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	DHR
Допустимые отклонения емкости	±20%
Tolerance	±20%
Температурный коэфициент	B
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.709" Dia (18.00mm)
Высота	0.906" (23.00mm)
Lead Spacing	0.500" (12.70mm)
Возможности	High Voltage
Lead Style	Straight

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Синонимы от поставщиков: DHRB34C102M2FB ; DHRB34C102M2FB ; конденсатор DHRB34C102M2FB ;

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2CL77 (5MA 20KV) 2CL
A71-H45X			20	317.44
A71-H45X		EPCOS
A71-H45X		EPCOS Inc
A71-H45X		TDK (EPCOS)
A71-H55X				317.44
A71-H55X		EPCOS
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	56	44.75
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		2 512	24.52
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
IRF740	N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS
КЦ121Д
КЦ121Д