Версия для печати
Технические характеристики TZY2R200A001R00

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TZY2
Capacitance Range	4.5 ~ 20pF
Adjustment Type	Top Adjustment
Номинальное напряжение	25V
Size / Dimension	Rectangular - 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Высота	0.049" (1.25mm)
Тип монтажа	Поверхностный
Возможности	General Purpose

TZY2R200A001R00 datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Переменные, триммеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	6 109	5.19
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	12 788	4.27
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	952	3.10
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		6 680	1.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	72 283	0.75  >1000 шт.   0.15
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.07
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		BFR93AW			PHILIPS
		BFR93AW				1	37.36
		BFR93AW			PHILIPS
		BFR93AW				1	37.36
		BFR93AW			INFINEON TECH
		IRLML5103TR		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	13.52
		IRLML5103TR		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...			20.24
		IRLML5103TR		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML5103TR		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	INFINEON
		IRLML5103TR		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	HOTTECH
		IRLML5103TR		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	KLS
		IRLML5103TR		P-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, ...	TRR	70	9.29
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIODES
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	FAIR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	LITE ON OPTOELECTRONICS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	ST MICROELECTRONICS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	GENERAL SEMICONDUCTOR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	UTC
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIOTEC	25 410	2.47
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DC COMPONENTS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	NXP
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	MCC
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	STMicroelectronics
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	ONS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIODES INC.	16
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	FAIRCHILD	48
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц		48 968	1.76  >100 шт.   0.88
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	PANJIT
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	KLS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	HOTTECH	50 278	1.89
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	SEMTECH
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	YJ	47 660	1.26
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	JSCJ	46 698	1.22
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	ASEMI	5 856	1.05
		РГ05-15000КГЦ		Кварцевый резонатор герметизированный 15МГц			138.24

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"