B1250T
Предохранитель телеком. 1, 25A/600V
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | Telefuse™ |
| Fuse Type | Power Cross/Barrier Network |
| Номинальное напряжение | 600VAC |
| Current | 1.25A |
| Корпус (размер) | Non-Standard SMD |
| Size / Dimension | 0.380" L x 0.120" W x 0.120" H (9.65mm x 3.05mm x 3.05mm) |
| Тип монтажа | Holder/Surface Mount |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| DC Cold Resistance | 0.075 Ohm |
| Melting I²t | 14 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRG7PH42UDPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRG7PH42UDPBF | INFINEON |
|
|
|||||
| IRG7PH42UDPBF |
|
|
||||||
 |
 |
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | 1 | 457.60 | ||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | IR/VISHAY | 27 | 755.70 | |
| LPC1343FBD48 | NXP |
|
|
|||||
| LPC1343FBD48 |
|
|
||||||
| LPC1343FBD48 | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| LPC1343FBD48 | ТАИЛАНД |
|
|
|||||
| S3M-E3/57T | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| S3M-E3/57T |
|
|
||||||
| S3M-E3/57T | GENERAL SEMICONDUCTOR | 496 |
|
|||||
| S3M-E3/57T | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| S3M-E3/57T | VISHAY |
|
|
|||||
| С5-5В-2 39 ОМ 1% |
|
|
