|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DS1487M/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DS1487M/NOPB |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
DS1487M/NOPB |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
|
1
|
189.00
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
NATIONAL
|
7
|
21.51
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
1
|
|
|
|
|
|
LM1117DT-5.0 |
|
СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
260
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
|
|
302.80
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
|
|
302.80
|
|
|
|
REF195GSZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
200
|
|
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом
|
BM
|
98
|
343.40
|
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом
|
|
420
|
157.25
|
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом
|
KLS
|
|
|
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом
|
AMTEK
|
|
|
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом
|
RUICHI
|
19 477
|
51.78
|
|
|
|
TLP281 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TLP281 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA
|
|
24
|
129.50
|
|
|
|
TLP281 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
TLP281 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA
|
TOS
|
|
|
|
|
|
TLP281 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA
|
ISOMICR
|
2 118
|
11.93
|
|
|
|
TLP281 |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=2,5kV, Uceo=80V, CurTr(min)=100%5mA
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
670
|
|
|