RGE1100

Версия для печати

Технические характеристики RGE1100

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	PolySwitch®
Voltage - Max	16V
Current - Max	100A
Current - Hold (Ih) (Max)	11A
Current - Trip (It)	18.7A
R Min/Max	0.004 ~ 0.006 Ohm
Time to Trip	7s
Корпус (размер)	Radial

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
293D106X9050D2TE3		VISHAY	18 596	93.73
293D106X9050D2TE3		SPRAGUE
293D106X9050D2TE3
BZX84C18LT1G		ON SEMICONDUCTOR
BZX84C18LT1G		ON SEMICONDUCTOR	255
BZX84C18LT1G		ONS	7 466	3.99
BZX84C18LT1G
BZX84C18LT1G		ON SEMICONDUCTO
STN2NF10	N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS	1 021	51.04
STN2NF10	N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet	STMicroelectronics
STN2NF10	N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet		15	60.48
STN2NF10	N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet	ФИЛИППИНЫ
STN2NF10	N-channel 100v - 0.23? - 2.4a - sot-223 stripfet™ ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
STN3NF06L	N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS	2 880	37.10
STN3NF06L	N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI
STN3NF06L	N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet	STMicroelectronics
STN3NF06L	N-channel 60 v, 0.07 ?, 4 a, sot-223 stripfet™ ii power mosfet
STN3PF06	Транзистор	ST MICROELECTRONICS
STN3PF06	Транзистор	ST MICROELECTRONICS SEMI
STN3PF06	Транзистор	STMicroelectronics
STN3PF06	Транзистор
STN3PF06	Транзистор
STN3PF06	Транзистор	ST MICROELECTRO