SMBJ28A
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
| Серия | SMBJ |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 28V |
| Voltage - Breakdown | 31.1V |
| Мощность (Ватт) | 600W |
| Polarization | Unidirectional |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-214AA, SMB |
| Корпус | SMB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz) | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz) | TOS |
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz) |
|
20.96 | ||
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz) | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz) | CJ |
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz) | JSCJ | 1 504 | 100.04 | |
| BSR14.215 | NXP |
|
|
|||||
| K9K4G08U0M-YCB0 | SAMSUNG |
|
|
|||||
| K9K4G08U0M-YCB0 | SAMSUNG | 4 |
|
|||||
| MC33063AVPG | ONS |
|
|
|||||
| MC33063AVPG | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| MC33063AVPG |
|
|
||||||
| MC33063AVPG | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC33063AVPG | 4-7 НЕДЕЛЬ | 389 |
|
|||||
| STM32F100RBT6B | ST MICROELECTRONICS | 147 | 315.45 | |||||
| STM32F100RBT6B | 491 | 248.74 | ||||||
| STM32F100RBT6B | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STM32F100RBT6B | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| STM32F100RBT6B | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|||||
| STM32F100RBT6B | 4-7 НЕДЕЛЬ | 668 |
|
