PESD3V3S1UB,115

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
PESD3V3S1UB,115 (NEX)	18	4.94
PESD3V3S1UB,115	24 000	3.09
PESD3V3S1UB,115 (NXP/NEXPERIA)	1	4.52

DIODE ESD PROTECTION SOD523

Версия для печати

Технические характеристики PESD3V3S1UB,115

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Reverse Standoff (Typ)	3.3V
Voltage - Breakdown	5.2V
Мощность (Ватт)	330W
Polarization	Unidirectional
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-79, SOD-523
Корпус	SOD-523

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PESD3V3S1UB,115 datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
74HC14D,653		NXP Semiconductors
74HC14D,653		NXP
74HC14D,653		NEX	15 874	10.60
74HC14D,653			5 166	6.50
74HC14D,653		NXP
74HC14D,653		NEXPERIA
74HC14D,653		NEX-NXP	3 040	29.96
74HC14D,653		NEXPERIA
74HC14D,653		NXP/NEXPERIA
74HC245DB (SN74HC245DB)		TEXAS INSTRUMENTS	1 008	21.00
AT24C16AN-10SU-2.7	Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...	ATMEL	871	25.20
AT24C16AN-10SU-2.7	Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...			52.40
AT24C16AN-10SU-2.7	Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...	ATMEL CORPORATION
AT24C16AN-10SU-2.7	Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...	MICRO CHIP
AT24C16AN-10SU-2.7	Последовательная память EEPROM (2048x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	612
DS1034-25FBNSISS		CONNFLY	19 598	60.35
DS1034-25FBNSISS
DS1037-09FNAKT74-0CC		CONNFLY	71 358	18.60