|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
B82721K2122N020 |
|
|
|
|
|
|
|
|
B82721K2122N020 |
|
|
EPCOS
|
88
|
201.68
|
|
|
|
B82721K2122N020 |
|
|
TDK
|
|
|
|
|
|
B82721K2122N020 |
|
|
TDK-EPC
|
1 347
|
167.16
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
20 774
|
2.53
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
19 349
|
3.32
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
380 938
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
9 726
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.73
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
12 025
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
8.27
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
185 347
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
81 600
|
498.96
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
INFINEON
|
3 479
|
3.57
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NUOVA MISTRAL
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NXP
|
4 088
|
3.57
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
|
|
7.24
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
INFINEON
|
595
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NUOVA MISTRAL
|
1 144
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
PHILIPS
|
770
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
INGINEON
|
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
NXP
|
422
|
|
|
|
|
BCV47 |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 60V 0,5A 0,25W B>2000 S
|
JSCJ
|
18 592
|
2.82
|
|
|
|
MCP633-E/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP633-E/SN |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP633-E/SN |
|
|
|
|
|
|
|
|
TL431A |
|
|
HTC KOREA SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
TL431A |
|
|
|
|
|
|
|
|
TL431A |
|
|
HTC KOREA SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
TL431A |
|
|
HTC
|
17 068
|
6.30
|
|
|
|
TL431A |
|
|
|
|
|
|
|
|
TL431A |
|
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
TL431A |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|