IC RECT BRIDGE 0.5A 100V MBS-1 |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Current - DC Forward (If) | 500mA |
Diode Type | Single Phase |
Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-269AA |
Корпус | MBS-1 |
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1SS355TE-17 | ROHM | 9 014 | 2.12 | |||||
1SS355TE-17 | ROHM | 1 752 | ||||||
1SS355TE-17 | ||||||||
1SS355TE-17 | Rohm Semiconductor | |||||||
CRCW120668R1FKEA | VISHAY | |||||||
CRCW120668R1FKEA | VISHAY | 25 806 | ||||||
CRCW120668R1FKEA | Vishay/Dale | |||||||
CRCW120675R0FKTA | VISHAY | |||||||
CRCW120675R0FKTA | VISHAY | 10 000 | ||||||
CRCW120675R0FKTA | Vishay/Dale | |||||||
GS1B | MICRO SEMICONDUCTOR | |||||||
GS1B | DC COMPONENTS | 6 880 | 2.31 | |||||
GS1B | ||||||||
GS1B | MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) | |||||||
GS1B | MICROSEMI CORP | 7 056 | ||||||
GS1B | YT | |||||||
GS1B | YJ | 8 285 | 1.89 | |||||
КП303Г9 | Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ... |
|