GBJ2510-F
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 1000V |
| Current - DC Forward (If) | 25A |
| Diode Type | Single Phase |
| Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | GBJ |
| Корпус | GBJ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ATMEGA103-6AI | ATMEL |
|
|
||||
|
|
ATMEGA103-6AI | 3 | 1 033.12 | |||||
| GBJ10M | DC COMPONENTS |
|
|
|||||
| GBJ10M |
|
|
||||||
 |
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | FAIR |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | INTERSIL |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | FSC |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) |
|
500.00 | ||
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | КОРЕЯ РЕСПУБЛИК |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | ONS-FAIR |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | ONS |
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
| IXGR40N60C2D1 | IXYS |
|
|
|||||
| IXGR40N60C2D1 |
|
|
||||||
| IXGR60N60U1 | IXYS |
|
|
|||||
| IXGR60N60U1 |
|
|
||||||
| IXGR60N60U1 | IXYS CORPORATION |
|
|
