BZV55-B18,115
|
DIODE ZENER 18V 500MW SOD80C |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50nA @ 12.6V |
| Допустимые отклонения емкости | ±2% |
| Tolerance | ±2% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 45 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-80C |
| Корпус | LLDS; MiniMelf |
| Рабочая температура | -65°C ~ 200°C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=18V, Izt-5mA
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZV55-B10.115 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B10.115 | NEX-NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B10.115 |
|
|
||||||
 |
 |
BZV55-B12,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B12,115 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B12,115 |
|
NEX | 1 367 | 5.81 | ||
|
|
|
BZV55-B12,115 |
|
|
|
|||
|
|
|
BZV55-B12,115 |
|
NEXPERIA | 12 | 8.98 | ||
|
|
|
BZV55-B15,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B15,115 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B15,115 |
|
NEX | 2 264 | 6.03 | ||
|
|
|
BZV55-B15,115 |
|
|
|
|||
|
|
|
BZV55-B24,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B24,115 |
|
NEX | 3 297 | 5.59 | ||
|
|
|
BZV55-B24,115 |
|
|
|
|||
 |
|
КП103М |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА |
|
113.52 | ||
|
|
|
КП103М |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА | ВИННИЦА |
|
|
|
|
|
|
КП103М |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА | RUS |
|
|
