BAS40DW-05-TP
|
DIODE SCHOTTKY 200MW 40V SOT363 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 40mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200nA @ 30V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200mA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 5ns |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Diode Configuration | 2 Pair Common Cathode |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
 | AM1D-0503D DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, sip7 Купить |
 | P10NG-1215Z2:1LF DC/DC преобразователь мощностью 2Вт, вход 9:18В, стабилизированный выход +15В/+67мА, изоляция 1000В DC, SIP8(22x9.2x11мм), -40:+80°С Купить |
 | DS1230Y-100 Микросхема памяти SRAM Объем памяти &nbsp; 256кбАрхитектура &nbsp; 32*8кбВремя доступа &nbsp;100нсНапряжение питания &nbsp; 4.75В... 5... Купить |
