12CWQ03FNTRL
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 470mV @ 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 3mA @ 30V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 6A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | Si8407DB P-channel 20-v (d-s) mosfet РљСѓРїРСвЂВть |
 | HEDS-9140#G00 РњРѕРТвЂВуль 3-С… канального РѕРїС‚РСвЂВческого Р В Р’В Р РЋРІР‚ВРЅРєСЂРµРСВВентного РєРѕРТвЂВера Р В Р’В Р СћРІР‚Вля вертРСвЂВкального Р В Р’В Р РЋР’Вонтажа (РїСЂСЏРСВВР РЋРІР‚в„–Р В Р’Вµ вывоРТвЂВР РЋРІР‚в„–) РљСѓРїРСвЂВть |
 | MAX1206 12 Р В Р’В±Р В РЎвЂВтный 40 msps ацпОсобенностРСвЂВ: ПревосхоРТвЂВные Р В Р’В Р СћРІР‚ВР В Р’В Р РЋРІР‚ВРЅР°РСВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВческРСвЂВР В Р’Вµ характерРСвЂВСЃС‚РСвЂВРєРСвЂВ: SNR=68.6 Р В РўвЂ²прРцчастоте РІС…РѕРТвЂВРЅРѕРіРѕ РЎРѓР СвЂВгнала fIN = 20 МГцSFDR=90 dBc РїСЂРСвЂВ... РљСѓРїРСвЂВть |
