20CTQ150

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
20CTQ150		145.80
20CTQ150 (WUXI XUYANG)	179	137.30

Версия для печати

Технические характеристики 20CTQ150

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	880mV @ 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr	25µA @ 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	150V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

20CTQ150S (Дискретные сигналы)

SCHOTTKY RECTIFIER 20 Amp

Также в этом файле: 20CTQ150SPBF, 20CTQ150STRL, 20CTQ150STRLPBF, 20CTQ150STRR, 20CTQ150STRRPBF

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

20CTQ150 datasheet
304.38Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	15.30
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	6 851	6.22
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	4 577	3.63
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		24 000	1.36
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	3 209	2.17
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 600	1.43
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
3266W-1-104	Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``	BOURNS
3266W-1-104	Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``	BARONS
3266W-1-104	Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``			51.68
3266W-1-104	Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``	Bourns Inc
3266W-1-104	Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``	КИТАЙ
3266W-1-104	Подстроечный резистор., многооборотный, винт сверху, 100 кОм 1/4``	BOCHEN	1 140	21.13
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2 456	17.56
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	8 113	12.66
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	2 212	10.50
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS	800	35.70
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц		6 722	9.52
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	STMICROELECTRONICS
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MCC
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON Semiconductor
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTR
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON SEMIC
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS SEMIC
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST1
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRO
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	МИНСК
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	NXP
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MULTICOMP
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	CJ
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	HOTTECH
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	TRR
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	JSCJ	1 521	10.53
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INFINEON	3 440	38.38
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...		1 081	38.98

20CTQ150

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Диоды

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают: