CSD20060D
|
|
Версия для печати
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 16.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Тип монтажа | Through Hole, Radial |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
CSD20060 (Диоды Шотки) Zero Recovery Rectifier Также в этом файле: CSD20060D
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
60CPQ150PBF |
|
Диод 60A,150В Шоттки x2 | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
60CPQ150PBF |
|
Диод 60A,150В Шоттки x2 | Vishay/Semiconductors |
|
|
|
| CSD10120A | CREE |
|
|
|||||
| CSD10120A | CREE PWR |
|
|
|||||
| CSD10120A |
|
2 960.00 | ||||||
| IPW60R099CP | INFINEON |
|
|
|||||
| IPW60R099CP | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| IPW60R099CP |
|
1 469.20 | ||||||
 |
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | 1 | 457.60 | ||
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц | IR/VISHAY | 27 | 755.70 | |
 |
|
IXFK52N60Q2 |
|
Hiperfet power mosfets q2-class | IXYS |
|
|
