|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
193.80
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
|
4
|
152.40
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
FULIHAO TECH
|
2 880
|
108.24
|
|
|
|
IR2104S |
|
Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс
|
FULIHAO
|
314
|
55.84
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
|
3 940
|
25.99
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF530N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W
|
JSMICRO
|
1 030
|
32.13
|
|
|
|
LM2904 SO-8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
38.25
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
936
|
33.15
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
|
|
16.04
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
IDCHIP
|
4 276
|
4.08
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DC COMPONENTS
|
159 681
|
4.44
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIC
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SMK
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC
|
10 628
|
7.29
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
MIC
|
7 391
|
1.21
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YJ
|
993 247
|
1.43
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
|
16
|
9.60
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
HOTTECH
|
306 856
|
1.25
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
KLS
|
4
|
1.85
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
SEMTECH
|
8
|
8.81
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
TOS
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
0.00
|
|
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YOUTAI
|
126 091
|
1.10
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
KOME
|
8 000
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
YANGJIE
|
364 000
|
1.84
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
CJ
|
4 392
|
2.54
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
JINGDAO
|
2 547
|
2.16
|
|
|
|
US1M |
|
Диод выпрямительный ультра быстрый 1000В, 1A, 75нс
|
TRR
|
188 000
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|