Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 500mA |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Current - Average Rectified (Io) | 500mA |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 30V |
Diode Type | Schottky |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Capacitance @ Vr, F | 125pF @ 0V, 1MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | SC-76, SOD-323 |
Корпус | SOD-323 |
Product Change Notification | Wire Change 16/Sept/2008 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AP4511GM | APEC | |||||||
AP4511GM | 9 | 79.20 | ||||||
AP4511GM | КИТАЙ | |||||||
AP4511GM | ADVANCED POWER | |||||||
AP4511GM | 1 | |||||||
LQH32CN100K53L | Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA | ||||||
LQH32CN100K53L | Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | |||||||
LQH32CN100K53L | Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA | 3 840 | |||||
LQH32CN100K53L | Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | Murata Electronics North America | ||||||
LQH32CN100K53L | Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MUR | 6 725 | 7.95 | ||||
LQH32PN100MN0L | ||||||||
LQH32PN100MN0L | Murata Electronics North America | |||||||
LQH32PN100MN0L | MUR | 26 350 | 10.93 | |||||
LQH32PN100MN0L | MURATA | 2 000 | 20.84 | |||||
MAX1896 | MAX | |||||||
ПР2-5П2НВР | 10 600.00 |
|