BYG23M-E3/TR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BYG23M-E3/TR (VISHAY)	5 009	19.09
BYG23M-E3/TR	1	86.94

Версия для печати

Технические характеристики BYG23M-E3/TR

Current - Reverse Leakage @ Vr	5µA @ 1000V
Current - Average Rectified (Io)	1.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V (1kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7V @ 1A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Diode Type	Avalanche
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	75ns
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	DO-214AC (SMA)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	TOSHIBA	80	120.96
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)		1	226.80
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	TOS
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	МАЛАЙЗИЯ
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	JAPAN
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	ST MICROELECTRONICS	7 360	7.62
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	ST MICROELECTRONICS SEMI
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	STMicroelectronics
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	КИТАЙ
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A		8
BAR43CFILM	2xSMD-Schottky 30V 0,1A	ST MICROELECTRO
BZX84-C18		GENERAL SEMICONDUCTOR
BZX84-C18		PHILIPS
BZX84-C18		NXP
BZX84-C18		GENERAL SEMICONDUCTOR
BZX84-C18		NXP	516
BZX84-C18		PHILIPS	256
BZX84-C18		PHILIPS SEMIC
BZX84-C18
LP2951		UTC
RC0805FR-07475RL		PHYCOMP
RC0805FR-07475RL		YAGEO	218 316	0.55 >1000 шт. 0.11
RC0805FR-07475RL		PHYCOMP	3 636
RC0805FR-07475RL		YAGEO
RC0805FR-07475RL