Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.9V @ 5A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) | 5A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 20µA @ 600V |
Diode Type | Standard |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
NUOVA MISTRAL
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
FAIRCHILD
|
57
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
159
|
201.84
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ONS
|
8
|
94.46
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
|
1
|
187.20
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
|
|
|
|
|
|
STTH30R03CG |
|
Выпрямительный диод сверхбыстрый с накоплением заряда D2PAK/TO-247, 300 В, 15А, 35нс
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TL331IDBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
8
|
32.47
|
|
|
|
TL331IDBVR |
|
|
|
2 400
|
24.25
|
|
|
|
TL331IDBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
6 016
|
|
|
|
|
TL331IDBVR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|