IDH12SG60C

Версия для печати

Технические характеристики IDH12SG60C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	2.1V @ 12A
Серия	thinQ!™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io)	12A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr	100µA @ 600V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitance @ Vr, F	310pF @ 1V, 1MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-2
Корпус	PG-TO220-2

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IDH12SG60C (Диоды Шоттки)

SiC диод Шоттки семейства 3G thinQ!

Производитель:
Infineon Technologies

IDH12SG60C datasheet
229.5 Кб