Current - Reverse Leakage @ Vr | 40µA @ 1200V |
Current - Average Rectified (Io) | 30A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 4.1V @ 30A |
Серия | HEXFRED® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Diode Type | Standard |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 170ns |
Тип монтажа | Through Hole, Radial |
Корпус (размер) | TO-247-2 (TO-247AC Modified) |
Корпус | TO-247AC Modified |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
|
|
70.24
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
PHILIPS
|
14
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MINOS
|
2 393
|
30.27
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
|
|
380.84
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
К75-54М-10КВ-0.01 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 10000 В
|
|
|
1 580.00
|
|
|
|
К75-54М-10КВ-0.022 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.022 мкФ 10000 В
|
|
|
2 740.00
|
|