FDC6305N
Dual n-channel 2.5v specified powertrench mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 310pF @ 10V |
| Power - Max | 700mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-SSOT, SuperSOT™-6 |
| Корпус | 6-SSOT |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDC6305N (MOSFET) Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
