FDG6301N
Dual n-channel, digital fet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 220mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 220mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
| Power - Max | 300mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SC-70-6 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDG6301N (MOSFET) Dual N-Channel, Digital FET
Производитель:
|
