FDG6322C


Купить FDG6322C ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDG6322C
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
FDG6322C (FAIRCHILD.) 1 745 3-4 недели
Цена по запросу
FDG6322C 4 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FDG6322C

Rds On (Max) @ Id, Vgs4 Ohm @ 220mA, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeN and P-Channel
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C220mA, 410mA
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds9.5pF @ 10V
Power - Max300mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSC-70-6
Product Change NotificationMold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDG6322C (N/P-канальные транзисторные модули)

Dual N and P Channel Digital Fet

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FDG6322C datasheet
249.28Kb
12стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход