![]() |
|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | PowerTrench® |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3.5A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 13nC @ 5V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 420pF @ 30V |
Power - Max | 1W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | SO-8 |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
FDS9945 (MOSFET) 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
8Э12 25А 27В |
![]() |
676.00 | ||||||
![]() |
![]() |
FSDM0565RBWDTU |
![]() |
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W | FAIR |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
FSDM0565RBWDTU |
![]() |
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W |
![]() |
228.00 | ||
![]() |
![]() |
FSDM0565RBWDTU |
![]() |
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W | Fairchild Semiconductor |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
FSDM0565RBWDTU |
![]() |
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.3A, 66kHz, Pout<70W | FAIRCHILD |
![]() |
![]() |
|
HM15 |
![]() |
Кожух для разъема | HSUAN MAO |
![]() |
![]() |
|||
![]() |
РПС34А 239 |
![]() |
реле РПС34А; РПС34А 239 |
![]() |
438.96 | |||
![]() |
РЭК28 007.01 |
![]() |
реле промежуточное РЭК28Т; РЭК28 007.01 | 132 | 77.76 |
|
Корзина
|