SI1023X-T1-GE3


Купить SI1023X-T1-GE3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI1023X-T1-GE3
Версия для печати

Технические характеристики SI1023X-T1-GE3

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 P-Channel (Dual)
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C370mA
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
Power - Max250mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SOT-563
КорпусSC-89-6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход