SI1988DH-T1-E3


Купить SI1988DH-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI1988DH-T1-E3
Версия для печати

Технические характеристики SI1988DH-T1-E3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C1.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs168 mOhm @ 1.4A, 4.5V
FET FeatureStandard
FET Type2 N-Channel (Dual)
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs4.1nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds110pF @ 10V
Power - Max740mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSSOP, SC-88, SOT-363
КорпусSC-70-6
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход