SH8M2TB1


Купить SH8M2TB1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SH8M2TB1 MOSFET N/P-CH 30V SOP8 MOSFET N/P-CH 30V SOP8
Версия для печати

Технические характеристики SH8M2TB1

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs83 mOhm @ 3.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.5A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs3.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds140pF @ 10V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SH8M2TB1 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход