Версия для печати
Технические характеристики Si5511DC-T1-E3
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A, 2.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7.1nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 435pF @ 15V |
| Power - Max | 2.1W, 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 1206-8 ChipFET™ |
| Корпус | 1206-8 ChipFET™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
