SI3586DV-T1-E3


Купить SI3586DV-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI3586DV-T1-E3
Версия для печати

Технические характеристики SI3586DV-T1-E3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.9A, 2.1A
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeN and P-Channel
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V
Power - Max830mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход