Версия для печати
Технические характеристики SI5509DC-T1-E3
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5A, 3.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 5A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.6nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 455pF @ 10V |
| Power - Max | 2.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 1206-8 ChipFET™ |
| Корпус | 1206-8 ChipFET™ |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
