SI4567DY-T1-E3


Купить SI4567DY-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI4567DY-T1-E3
Версия для печати

Технические характеристики SI4567DY-T1-E3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.1A, 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 4.1A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeN and P-Channel
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds355pF @ 20V
Power - Max1.85W, 1.95W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход