SI5920DC-T1-E3


Купить SI5920DC-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI5920DC-T1-E3
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SI5920DC-T1-E3 (SILICONIX.) 8 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI5920DC-T1-E3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4A
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
FET FeatureLogic Level Gate
FET Type2 N-Channel (Dual)
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds680pF @ 4V
Power - Max2.04W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)1206-8 ChipFET™
Корпус1206-8 ChipFET™
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
СР50-101ФМВ
Соединители типа СР-50 для соединения байонетным или резьбовым способом радиочастотных трактов с волновым сопротивлением 50 Ом. Диапазон частот от 300...
86.94 руб Купить
AM1S-0515SH30Z
DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 4.5:5.5В, выход 15В/70мА, изоляция 3000В DC, -40:+85°С
427.61 руб Купить
SD-100C-5
DC/DC преобразователь мощностью 100 Вт, корпус: для монтажа на шасси
Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход