SI3900DV-T1-E3


Купить SI3900DV-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI3900DV-T1-E3
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SI3900DV-T1-E3 (SILICONIX.) 295 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI3900DV-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET Type2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2A
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs4nC @ 4.5V
Power - Max830mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Корпус6-TSOP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход