2N7002PV,115
|
MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-666
|
Версия для печати
Технические характеристики 2N7002PV,115
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 350mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Power - Max | 330mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-666 |
| Корпус | SOT-666 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
