Версия для печати
Технические характеристики SI9933BDY-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | BSP76
HITFET 42v 1.4A 200mOm
Купить |
 | TEN 3-0522
Dc/dc конвертер серии ten 3 мощностью 3 ваттаОсобенности: Широкий диапазон входных напряжений 2:1 Высокий КПД до 84% Защита от короткого замыкани...
2793.33 руб Купить |
 | HLMP-CB16-QT000
5 мм ingan светодиод
Купить |
