SI4565ADY-T1-E3


Купить SI4565ADY-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI4565ADY-T1-E3 MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
Версия для печати

Технические характеристики SI4565ADY-T1-E3

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияTrenchFET®
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs39 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5.3A, 4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds625pF @ 20V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


SI4565ADY-T1-E3 datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход