SI1912EDH-T1-E3
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
SI1912EDH-T1-E3 (SILICONIX.) |
2 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики SI1912EDH-T1-E3
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.13A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1nC @ 4.5V |
| Power - Max | 570mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SC-70-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
