Si4511DY-T1-E3
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
SI4511DY-T1-E3 (SILICONIX.) |
167 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики Si4511DY-T1-E3
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7.2A, 4.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
