Версия для печати
Технические характеристики SH8M5TB1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6A, 7A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	520pF @ 10V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOP

SH8M5TB1 datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	VISHAY
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	RECTIFIER
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C			18.80
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	INTERNATIONAL RECTIFIER
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	Vishay/Semiconductors
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	КИТАЙ
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	INFINEON	1	10.28
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	LGE
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	LUGUANG	3 712	12.43
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	SMCMICRO
		10MQ040N		Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C	SUNMATE	8 625	1.50
		IRF640NSPBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.18 Ом, Id(25°C) = 18 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640NSPBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.18 Ом, Id(25°C) = 18 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640NSPBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.18 Ом, Id(25°C) = 18 A	INFINEON
		IRF640NSPBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.18 Ом, Id(25°C) = 18 A
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	VISHAY
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...		4	144.00
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	Vishay/Siliconix
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	КИТАЙ
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	1
		IRFR220NPBF		Транзистор N-Канальный 200V 5A 43W 0,6R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR220NPBF		Транзистор N-Канальный 200V 5A 43W 0,6R
		IRFR220NPBF		Транзистор N-Канальный 200V 5A 43W 0,6R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR220NPBF		Транзистор N-Канальный 200V 5A 43W 0,6R	INFINEON

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"