SI4922BDY-T1-E3


Купить SI4922BDY-T1-E3 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
SI4922BDY-T1-E3
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
SI4922BDY-T1-E3 (SILICONIX.) 42 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики SI4922BDY-T1-E3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8A
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16 mOhm @ 5A, 10V
FET FeatureStandard
FET Type2 N-Channel (Dual)
СерияTrenchFET®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs62nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2070pF @ 15V
Power - Max2W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход